FQB2N90TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB2N90TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB2N90TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB2N90TM даташит

 ..1. Size:754K  fairchild semi
 fqb2n90tm fqi2n90tu.pdf pdf_icon

FQB2N90TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N90 / FQI2N90 900V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.2A, 900V, RDS(on) = 7.2 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF) This advanced technolo

 9.1. Size:579K  fairchild semi
 fqb2n60tm.pdf pdf_icon

FQB2N90TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N60 / FQI2N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.4A, 600V, RDS(on) = 4.7 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 9.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology

 9.2. Size:720K  fairchild semi
 fqb2n50tm.pdf pdf_icon

FQB2N90TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2N50 / FQI2N50 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.1A, 500V, RDS(on) = 5.3 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.0 pF) This advanced technolog

 9.3. Size:705K  fairchild semi
 fqb2na90tm fqi2na90tu.pdf pdf_icon

FQB2N90TM

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2NA90 / FQI2NA90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.8A, 900V, RDS(on) = 5.8 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced tech

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB24N08TM, FQB25N33TM, FQB27N25TMAM002, FQB27P06TM, FQB2N30TM, FQB2N50TM, FQB2N60TM, FQB2N80TM, 60N06, FQB2NA90TM, FQB2P25TM, FQB2P40TM, FQB30N06LTM, FQB30N06TM, FQB32N12V2TM, FQB32N20CTM, FQB33N10LTM