FQB3N25TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB3N25TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: D2-PAK

Аналог (замена) для FQB3N25TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB3N25TM даташит

 ..1. Size:621K  fairchild semi
 fqb3n25tm fqi3n25tu.pdf pdf_icon

FQB3N25TM

November 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3N25 / FQI3N25 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.8A, 250V, RDS(on) = 2.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.7 pF) This advanced technolo

 9.1. Size:730K  fairchild semi
 fqb3n40tm fqi3n40tu.pdf pdf_icon

FQB3N25TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3N40 / FQI3N40 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.5A, 400V, RDS(on) = 3.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.2 pF) This advanced technolog

 9.2. Size:695K  fairchild semi
 fqb3n90tm fqi3n90tu.pdf pdf_icon

FQB3N25TM

September 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3N90 / FQI3N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.6A, 900V, RDS(on) = 4.25 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 8.0 pF) This advanced techn

 9.3. Size:718K  fairchild semi
 fqb3n30tm fqi3n30tu.pdf pdf_icon

FQB3N25TM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 300V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.2A, 300V, RDS(on) = 2.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQB30N06TM, FQB32N12V2TM, FQB32N20CTM, FQB33N10LTM, FQB33N10TM, FQB34N20LTM, FQB34N20TMAM002, FQB34P10TM, IRFZ44, FQB3N30TM, FQB3N40TM, FQB3N60CTM, FQB3N90TM, FQB3P20TM, FQB3P50TM, FQB46N15TMAM002, FQB47P06TMAM002