Справочник MOSFET. IRFW530A

 

IRFW530A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFW530A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRFW530A

 

 

IRFW530A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  1
 irfi530a irfw530a.pdf

IRFW530A IRFW530A

 ..2. Size:508K  samsung
 irfw530a.pdf

IRFW530A IRFW530A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.11 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 14 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.092 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbs

 9.1. Size:285K  1
 irfi540a irfw540a.pdf

IRFW530A IRFW530A

 9.2. Size:282K  1
 irfi510a irfw510a.pdf

IRFW530A IRFW530A

 9.3. Size:215K  1
 irfi520a irfw520a.pdf

IRFW530A IRFW530A

 9.4. Size:266K  fairchild semi
 irfw550a irfi550a.pdf

IRFW530A IRFW530A

IRFW/I550AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 C Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 100V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gat

 9.5. Size:508K  samsung
 irfw540a.pdf

IRFW530A IRFW530A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.052 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 28 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.041 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbso

 9.6. Size:513K  samsung
 irfw550a.pdf

IRFW530A IRFW530A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.04 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 40 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.032 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute

 9.7. Size:503K  samsung
 irfw520a.pdf

IRFW530A IRFW530A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.155 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbso

Другие MOSFET... IRFU9214 , IRFU9220 , IRFU9222 , IRFU9310 , IRFUC20 , IRFW450 , IRFW510A , IRFW520A , 7N65 , IRFW540A , IRFW550A , IRFW610A , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A .

 

 
Back to Top