Справочник MOSFET. FQB4P40TM

 

FQB4P40TM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB4P40TM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: D2-PAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB4P40TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  fairchild semi
 fqb4p40tm fqb4p40 fqi4p40 fqi4p40tu.pdf pdf_icon

FQB4P40TM

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4P40 / FQI4P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technolog

 9.1. Size:580K  fairchild semi
 fqb4p25tm.pdf pdf_icon

FQB4P40TM

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4P25 / FQI4P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.0A, -250V, RDS(on) = 2.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10.3 pF)This advanced techn

Другие MOSFET... FQB46N15TMAM002 , FQB47P06TMAM002 , FQB4N20LTM , FQB4N20TM , FQB4N25TM , FQB4N50TM , FQB4N90TM , FQB4P25TM , 2SK3878 , FQB50N06LTM , FQB50N06TM , FQB55N06TM , FQB55N10TM , FQB5N15TM , FQB5N20LTM , FQB5N20TM , FQB5N30TM .

 

 
Back to Top

 


 
.