FQD11P06TM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FQD11P06TM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.185 Ohm
Тип корпуса: D-PAK
Аналог (замена) для FQD11P06TM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FQD11P06TM даташит
fqd11p06tf fqd11p06tm fqd11p06 fqu11p06 fqu11p06tu.pdf
January 2009 QFET FQD11P06 / FQU11P06 60V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -9.4A, -60V, RDS(on) = 0.185 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been especi
fqd11p06tm.pdf
FQD11P06TM www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Sy
fqd11p06 fqu11p06.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие IGBT... FQB9P25TM, FQD10N20CTF, FQD10N20CTM, FQD10N20LTF, FQD10N20LTM, FQD10N20TF, FQD10N20TM, FQD11P06TF, IRF1405, FQD12N20LTF, FQD12N20LTM, FQD12N20TF, FQD12N20TM, FQD12P10TF, FQD12P10TM, FQD13N06LTF, FQD13N06LTM
History: IPA029N06N | FQD12P10TF | IPD090N03L | IPA60R280P6 | FQD10N20LTM | IRF135S203 | IPA60R400CE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492



