Справочник MOSFET. FQD12N20TF

 

FQD12N20TF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD12N20TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 120 ns

Выходная емкость (Cd): 125 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD12N20TF

 

 

FQD12N20TF Datasheet (PDF)

1.1. fqd12n20tf fqd12n20tm fqd12n20 fqu12n20 fqu12n20tu.pdf Size:801K _fairchild_semi

FQD12N20TF
FQD12N20TF

January 2009 QFET® FQD12N20 / FQU12N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especia

2.1. fqd12n20ltm f085.pdf Size:640K _fairchild_semi

FQD12N20TF
FQD12N20TF

June 2010 FQD12N20LTM_F085 200V Logic Level N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 16 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been especiall

2.2. fqd12n20ltf fqd12n20ltm fqd12n20l fqu12n20l.pdf Size:699K _fairchild_semi

FQD12N20TF
FQD12N20TF

January 2009 QFET® FQD12N20L / FQU12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 16 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top