Справочник MOSFET. IRFW634A

 

IRFW634A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFW634A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRFW634A

 

 

IRFW634A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  1
 irfi634a irfw634a.pdf

IRFW634A IRFW634A

 8.1. Size:215K  1
 irfi630a irfw630a.pdf

IRFW634A IRFW634A

 8.2. Size:712K  fairchild semi
 irfw630b irfi630b.pdf

IRFW634A IRFW634A

IRFW630B / IRFI630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switc

 8.3. Size:697K  fairchild semi
 irfw630b.pdf

IRFW634A IRFW634A

November 2013IRFW630BN-Channel MOSFET200 V, 9 A, 400 mFeaturesDescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0 A, 200 V, RDS(on) = 400 m (Max.) @ VGS = 10 V, transistors are produced using Fairchilds proprietary, ID = 4.5 A planar, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state Low Gate Charge (Typ.

 8.4. Size:509K  samsung
 irfw630a.pdf

IRFW634A IRFW634A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V2 Low RDS(ON) : 0.333 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

Другие MOSFET... IRFW530A , IRFW540A , IRFW550A , IRFW610A , IRFW614A , IRFW620A , IRFW624A , IRFW630A , IRF1407 , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A .

 

 
Back to Top