FQD4N25TF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQD4N25TF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD4N25TF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD4N25TF даташит

 ..1. Size:717K  fairchild semi
 fqd4n25tf fqd4n25tm fqu4n25tu.pdf pdf_icon

FQD4N25TF

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 7.1. Size:722K  fairchild semi
 fqd4n25 fqu4n25.pdf pdf_icon

FQD4N25TF

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 7.2. Size:822K  onsemi
 fqd4n25.pdf pdf_icon

FQD4N25TF

FQD4N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, 3 A, 1.75 Features 3 A, 250 V, RDS(on) = 1.75 (Max.) @ VGS = 10 V, Description ID = 1.5 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary planar Low Gate Charge (Typ. 4.3 nC) stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 4.8 pF) technology has been especially

 8.1. Size:521K  fairchild semi
 fqd4n20ltm.pdf pdf_icon

FQD4N25TF

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N20L / FQU4N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.2A, 200V, RDS(on) = 1.35 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQD3N50CTM, FQD3N60TM, FQD3P20TF, FQD3P20TM, FQD3P50TF, FQD3P50TM, FQD4N20LTM, FQD4N20TF, NCEP15T14, FQD4N25TM, FQD4N50TF, FQD4N50TM, FQD4P25TF, FQD4P25TM, FQD4P40, FQD4P40TF, FQD4P40TM