Справочник MOSFET. IRFW740A

 

IRFW740A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFW740A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFW740A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFW740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  1
 irfi740a irfw740a.pdf pdf_icon

IRFW740A

 ..2. Size:509K  samsung
 irfw740a.pdf pdf_icon

IRFW740A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V2 Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Cha

 7.1. Size:679K  fairchild semi
 irfw740b irfi740b.pdf pdf_icon

IRFW740A

November 2001IRFW740B / IRFI740B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:117K  1
 irfi730a irfw730a.pdf pdf_icon

IRFW740A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW624A , IRFW630A , IRFW634A , IRFW640A , IRFW644A , IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , AO3400 , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 .

History: IXFT15N80Q | STP5N50 | IXFT12N100 | IPS09N03LA | WMK80N06TS | IPP057N08N3G

 

 
Back to Top

 


 
.