Справочник MOSFET. FQD5N20LTM

 

FQD5N20LTM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD5N20LTM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC

Время нарастания (tr): 90 ns

Выходная емкость (Cd): 40 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD5N20LTM

 

 

FQD5N20LTM Datasheet (PDF)

1.1. fqd5n20ltf fqd5n20ltm fqd5n20l fqu5n20l.pdf Size:618K _fairchild_semi

FQD5N20LTM
FQD5N20LTM

October 2008 QFET® FQD5N20L / FQU5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 4.8 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology is especia

3.1. fqd5n20 fqu5n20.pdf Size:695K _fairchild_semi

FQD5N20LTM
FQD5N20LTM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD5N20 / FQU5N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology

3.2. fqd5n20tf.pdf Size:690K _fairchild_semi

FQD5N20LTM
FQD5N20LTM

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD5N20 / FQU5N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology

Другие MOSFET... FQD4P25TF , FQD4P25TM , FQD4P40 , FQD4P40TF , FQD4P40TM , FQD5N15TF , FQD5N15TM , FQD5N20LTF , IRF5210 , FQD5N20TF , FQD5N30TF , FQD5N30TM , FQD5N40TF , FQD5N40TM , FQD5N50 , FQD5N50CTF , FQD5N50CTM .

 

 
Back to Top