IRF2204LPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2204LPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRF2204LPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2204LPBF даташит

 ..1. Size:323K  international rectifier
 irf2204lpbf irf2204spbf.pdf pdf_icon

IRF2204LPBF

PD - 95491A IRF2204SPbF Typical Applications IRF2204LPbF Industrial Motor Drive HEXFET Power MOSFET D Features VDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 3.6m G 175 C Operating Temperature Fast Switching ID = 170A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET util

 7.1. Size:141K  international rectifier
 irf2204.pdf pdf_icon

IRF2204LPBF

PD - 94434 AUTOMOTIVE MOSFET IRF2204 Typical Applications HEXFET Power MOSFET Electric Power Steering D 14 Volts Automotive Electrical Systems VDSS = 40V Features Advanced Process Technology RDS(on) = 3.6m Ultra Low On-Resistance G Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature ID = 210A S Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed u

 7.2. Size:258K  international rectifier
 irf2204pbf.pdf pdf_icon

IRF2204LPBF

PD - 95490A IRF2204PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor Drive D Features VDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 3.6m Dynamic dv/dt Rating G 175 C Operating Temperature ID = 210A Fast Switching S Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the las

 7.3. Size:251K  inchange semiconductor
 irf2204s.pdf pdf_icon

IRF2204LPBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2204S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQD630TF, FQD630TM, FQD6N25TF, FQD6N25TM, FQD6N40CTF, FQD6N40CTM, FQD6N40TF, FQD6N40TM, IRFB7545, IRF2204PBF, IRF2204SPBF, IRF22N60C, IRF2804LPBF, IRF2804PBF, IRF2804S-7PPBF, IRF2804SPBF, IRF2805LPBF