IRF2804SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2804SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF2804SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2804SPBF даташит

 ..1. Size:408K  international rectifier
 irf2804pbf irf2804spbf irf2804lpbf.pdf pdf_icon

IRF2804SPBF

PD - 95332B IRF2804PbF IRF2804SPbF IRF2804LPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 40V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 2.0m l Lead-Free G ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

 ..2. Size:408K  international rectifier
 irf2804lpbf irf2804pbf irf2804spbf.pdf pdf_icon

IRF2804SPBF

PD - 95332B IRF2804PbF IRF2804SPbF IRF2804LPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 40V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 2.0m l Lead-Free G ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

 6.1. Size:281K  international rectifier
 auirf2804strr.pdf pdf_icon

IRF2804SPBF

AUTOMOTIVE GRADE PD -96290A AUIRF2804 AUIRF2804S AUIRF2804L Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 40V D l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.5m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 2.0m G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 270A l Automotive Qualified * S ID

 6.2. Size:280K  international rectifier
 irf2804s-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF2804SPBF

PD - 97057A IRF2804S-7PPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature l Fast Switching VDSS = 40V l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free G RDS(on) = 1.6m Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest ID = 160A S (Pin 2, 3 ,5,6,7) processing techniques to achieve extr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQD6N40TM, IRF2204LPBF, IRF2204PBF, IRF2204SPBF, IRF22N60C, IRF2804LPBF, IRF2804PBF, IRF2804S-7PPBF, AO4407A, IRF2805LPBF, IRF2805PBF, IRF2805SPBF, IRF2807PBF, IRF2807SPBF, IRF2807LPBF, IRF2807ZLPBF, IRF2807ZPBF