IRF2805LPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF2805LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRF2805LPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF2805LPBF даташит
irf2805spbf irf2805lpbf.pdf
PD - 95944A IRF2805SPbF IRF2805LPbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET l Industrial Motor Drive D Features VDSS = 55V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 4.7m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 135A S l Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates
irf2805lpbf irf2805spbf.pdf
PD - 95944A IRF2805SPbF IRF2805LPbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET l Industrial Motor Drive D Features VDSS = 55V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) = 4.7m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 135A S l Lead-Free Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the lates
auirf2805l auirf2805s.pdf
PD - 96383A AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2805S AUIRF2805L HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Planar Technology V(BR)DSS 55V Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 4.7m 175 C Operating Temperature G Fast Switching Fully Avalanche Rated S ID 135A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description Sp
irf2805.pdf
PD - 94428 IRF2805 AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Typical Applications D l Climate Control, ABS, Electronic Braking, VDSS = 55V Windshield Wipers Features RDS(on) = 4.7m G l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance ID = 75A l 175 C Operating Temperature S l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specifically designed
Другие IGBT... IRF2204LPBF, IRF2204PBF, IRF2204SPBF, IRF22N60C, IRF2804LPBF, IRF2804PBF, IRF2804S-7PPBF, IRF2804SPBF, 60N06, IRF2805PBF, IRF2805SPBF, IRF2807PBF, IRF2807SPBF, IRF2807LPBF, IRF2807ZLPBF, IRF2807ZPBF, IRF2807ZSPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet






