Справочник MOSFET. IRF2807ZPBF

 

IRF2807ZPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF2807ZPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 71 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF2807ZPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2807ZPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  international rectifier
 irf2807zpbf irf2807zspbf irf2807zlpbf.pdf pdf_icon

IRF2807ZPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 ..2. Size:399K  international rectifier
 irf2807zlpbf irf2807zpbf irf2807zspbf.pdf pdf_icon

IRF2807ZPBF

PD - 95488AIRF2807ZPbFIRF2807ZSPbFFeaturesIRF2807ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 9.4mGID = 75ADescriptionS This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techni

 6.1. Size:173K  international rectifier
 irf2807z.pdf pdf_icon

IRF2807ZPBF

PD - 94659IRF2807ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 75V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 9.4m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th

 6.2. Size:256K  inchange semiconductor
 irf2807zl.pdf pdf_icon

IRF2807ZPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2807ZLFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 75

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF2804SPBF , IRF2805LPBF , IRF2805PBF , IRF2805SPBF , IRF2807PBF , IRF2807SPBF , IRF2807LPBF , IRF2807ZLPBF , IRF840 , IRF2807ZSPBF , IRF2903ZLPBF , IRF2903ZPBF , IRF2903ZSPBF , IRF2907ZLPBF , IRF2907ZPBF , IRF2907ZS-7PPBF , IRF2907ZSPBF .

History: IRFBE30S | BUK7M6R3-40E | 2SK3904

 

 
Back to Top

 


 
.