Справочник MOSFET. IRF3707ZLPBF

 

IRF3707ZLPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF3707ZLPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IRF3707ZLPBF

 

 

IRF3707ZLPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  international rectifier
 irf3707zlpbf irf3707zpbf irf3707zspbf.pdf

IRF3707ZLPBF IRF3707ZLPBF

PD - 95333AIRF3707ZPbFIRF3707ZSPbFIRF3707ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Processor PowerVDSS RDS(on) maxQgl Lead-Free30V 9.5m 9.7nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220AB D2Pak TO-262IRF3707ZPbF IRF3707ZSPbF IRF3707ZLPbF

 5.1. Size:407K  international rectifier
 irf3707z irf3707zs irf3707zl.pdf

IRF3707ZLPBF IRF3707ZLPBF

PD - 95812AIRF3707ZIRF3707ZSIRF3707ZLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 9.5m: 9.7nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220ABD2Pak TO-262IRF3707ZIRF3707ZS IRF3707ZLAbsolute Maximum Ratings

 6.1. Size:351K  international rectifier
 irf3707zclpbf irf3707zcspbf.pdf

IRF3707ZLPBF IRF3707ZLPBF

PD - 95464AIRF3707ZCSPbFIRF3707ZCLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 9.5m 9.7nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3707ZCSPbFIRF3707ZCLPbFAbsolute Maximum RatingsP

 6.2. Size:244K  inchange semiconductor
 irf3707zs.pdf

IRF3707ZLPBF IRF3707ZLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3707ZSDESCRIPTIONDrain Current :I = 59A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL

 6.3. Size:246K  inchange semiconductor
 irf3707z.pdf

IRF3707ZLPBF IRF3707ZLPBF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3707Z IIRF3707ZFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 9.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top