Справочник MOSFET. IRFY044

 

IRFY044 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFY044
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 88(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 130(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRFY044

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFY044 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  international rectifier
 irfy044.pdf pdf_icon

IRFY044

PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-

 0.1. Size:156K  international rectifier
 irfy044cm.pdf pdf_icon

IRFY044

PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver

 0.2. Size:156K  international rectifier
 irfy044m.pdf pdf_icon

IRFY044

PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-

 0.3. Size:158K  international rectifier
 irfy044c.pdf pdf_icon

IRFY044

PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , RFP50N06 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C , IRFY140 , IRFY140C , IRFY240 .

History: 2N6798

 

 
Back to Top

 


 
.