IRF3709ZCLPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF3709ZCLPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRF3709ZCLPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3709ZCLPBF даташит

 ..1. Size:361K  international rectifier
irf3709zclpbf.pdfpdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95529 IRF3709ZCSPbF IRF3709ZCLPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l Lead-Free 30V 6.3m 17nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D2Pak TO-262 IRF3709ZCS IRF3709ZCL Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Uni

 4.1. Size:312K  international rectifier
irf3709zcl.pdfpdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95836 IRF3709ZCS IRF3709ZCL Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power 30V 6.3m 17nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D2Pak TO-262 IRF3709ZCS IRF3709ZCL Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-S

 5.1. Size:312K  international rectifier
irf3709zcs.pdfpdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95836 IRF3709ZCS IRF3709ZCL Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power 30V 6.3m 17nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current D2Pak TO-262 IRF3709ZCS IRF3709ZCL Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-S

 5.2. Size:271K  inchange semiconductor
irf3709zcs.pdfpdf_icon

IRF3709ZCLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3709ZCS DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.3m @V = 10V GS Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие IGBT... IRF3707ZSPBF, IRF3708L, IRF3708PBF, IRF3708SPBF, IRF3709LPBF, IRF3709PBF, IRF3709SPBF, IRF3709ZCL, SPP20N60C3, IRF3709ZLPBF, IRF3709ZPBF, IRF3709ZSPBF, IRF3710A, IRF3710LPBF, IRF3710PBF, IRF3710SPBF, IRF3710ZLPBF