Справочник MOSFET. IRF3709ZCLPBF

 

IRF3709ZCLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3709ZCLPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IRF3709ZCLPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3709ZCLPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  international rectifier
 irf3709zclpbf.pdf pdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95529IRF3709ZCSPbFIRF3709ZCLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Powerl Lead-Free30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3709ZCS IRF3709ZCLAbsolute Maximum RatingsParameter Max. Uni

 4.1. Size:312K  international rectifier
 irf3709zcl.pdf pdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95836IRF3709ZCSIRF3709ZCLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3709ZCS IRF3709ZCLAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsVDSDrain-to-S

 5.1. Size:312K  international rectifier
 irf3709zcs.pdf pdf_icon

IRF3709ZCLPBF

PD - 95836IRF3709ZCSIRF3709ZCLApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxQgConverters for Computer Processor Power30V 6.3m: 17nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Low Gate Chargel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentD2Pak TO-262IRF3709ZCS IRF3709ZCLAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsVDSDrain-to-S

 5.2. Size:271K  inchange semiconductor
 irf3709zcs.pdf pdf_icon

IRF3709ZCLPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3709ZCSDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.3m@V = 10VGSDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3707ZSPBF , IRF3708L , IRF3708PBF , IRF3708SPBF , IRF3709LPBF , IRF3709PBF , IRF3709SPBF , IRF3709ZCL , AON7410 , IRF3709ZLPBF , IRF3709ZPBF , IRF3709ZSPBF , IRF3710A , IRF3710LPBF , IRF3710PBF , IRF3710SPBF , IRF3710ZLPBF .

History: OSG55R580PF | SVF13N50F | 15N10-TO251 | 7N65KL-TQ2-R | SWP100R10VT | TK17A65U | SVG104R0NSTR

 

 
Back to Top

 


 
.