IRF3711S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF3711S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1770 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRF3711S Datasheet (PDF)
irf3711s irf3711 irf3711l.pdf

PD- 94062DIRF3711SMPS MOSFETIRF3711SIRF3711LApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Isolated DC-DCVDSS RDS(on) max ID Converters with Synchronous Rectification 20V 6.0m 110A for Telecom and Industrial Usel High Frequency Buck Converters forServer Processor Power Synchronous FETl Optimized for Synchronous Buck Converters Including Capacitive Induced
irf3711lpbf irf3711pbf irf3711spbf.pdf

PD- 94948IRF3711PbFSMPS MOSFETIRF3711SPbFIRF3711LPbFAppIicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous RectificationVDSS RDS(on) max ID for Telecom and Industrial Use 20V 6.0m 110Al High Frequency Buck Converters forServer Processor Power Synchronous FETl Optimized for Synchronous Buck Converters Including Capacitive
irf3711s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3711SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6m@V = 10VGSDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
irf3711zlpbf irf3711zpbf irf3711zspbf.pdf

PD - 95530IRF3711ZPbFIRF3711ZSPbFIRF3711ZLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency Synchronous BuckVDSS RDS(on) maxConverters for Computer Processor Power Qgl Lead-Free20V 6.0m: 16nCBenefitsl Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ultra-Low Gate Impedancel Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentTO-220ABD2Pak TO-262IRF3711ZIRF3711ZS IRF3711ZLAbsolut
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566