IRF3805SPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF3805SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF3805SPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF3805SPBF даташит
irf3805lpbf irf3805pbf irf3805spbf.pdf
PD - 97046A IRF3805PbF IRF3805SPbF IRF3805LPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 3.3m G Description ID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extremely
irf3805pbf irf3805spbf irf3805lpbf.pdf
PD - 97046A IRF3805PbF IRF3805SPbF IRF3805LPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature VDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 3.3m G Description ID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extremely
irf3805l-7ppbf irf3805s-7ppbf.pdf
PD - 97205B IRF3805S-7PPbF IRF3805L-7PPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 55V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 2.6m G l Lead-Free S ID = 160A Description S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) G (Pin 1) This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest proc
auirf3805strl.pdf
PD - 96319 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3805 AUIRF3805S AUIRF3805L Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology V(BR)DSS 55V D l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 2.6m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max. 3.3m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 210A l Lead-Free, RoHS Compliant S l Automotive Qualified * ID
Другие IGBT... IRF3711ZPBF, IRF3711ZSPBF, IRF3717PBF, IRF3717PBF-1, IRF3805L-7PPBF, IRF3805LPBF, IRF3805PBF, IRF3805S-7PPBF, 18N50, IRF3808L, IRF3808LPBF, IRF3808PBF, IRF3808SPBF, FQD6N50CTF, FQD6N50CTM, FQD6N60CTM, FQD6P25TF
History: IRF3717PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet







