Справочник MOSFET. IRFY140

 

IRFY140 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFY140
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 59(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 145(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRFY140

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFY140 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  international rectifier
 irfy140.pdf pdf_icon

IRFY140

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on

 0.1. Size:160K  international rectifier
 irfy140c.pdf pdf_icon

IRFY140

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve

 0.2. Size:159K  international rectifier
 irfy140cm.pdf pdf_icon

IRFY140

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve

 0.3. Size:159K  international rectifier
 irfy140m.pdf pdf_icon

IRFY140

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C , AO4407 , IRFY140C , IRFY240 , IRFY240C , IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 , IRFY430C , IRFY440 .

History: IRFL014

 

 
Back to Top

 


 
.