IRFY140C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFY140C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 145 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRFY140C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY140C даташит
irfy140c.pdf
PD - 91287C IRFY140C,IRFY140CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY140C 0.077 16*A Ceramic IRFY140CM 0.077 16*A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
irfy140cm.pdf
PD - 91287C IRFY140C,IRFY140CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY140C 0.077 16*A Ceramic IRFY140CM 0.077 16*A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
irfy140.pdf
PD - 94185 IRFY140,IRFY140M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY140 0.077 16*A Glass IRFY140M 0.077 16*A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
irfy140m.pdf
PD - 94185 IRFY140,IRFY140M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY140 0.077 16*A Glass IRFY140M 0.077 16*A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
Другие MOSFET... IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C , IRFY140 , CS150N03A8 , IRFY240 , IRFY240C , IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 , IRFY430C , IRFY440 , IRFY440C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555





