FQI6N40CTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI6N40CTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI6N40CTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI6N40CTU даташит

 ..1. Size:729K  fairchild semi
 fqb6n40ctm fqi6n40ctu.pdf pdf_icon

FQI6N40CTU

 9.1. Size:759K  fairchild semi
 fqb6n15tm fqi6n15tu.pdf pdf_icon

FQI6N40CTU

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB6N15 / FQI6N15 150V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.4A, 150V, RDS(on) = 0.6 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.6 pF) This advanced technology h

 9.2. Size:681K  fairchild semi
 fqb6n60ctm fqi6n60ctu.pdf pdf_icon

FQI6N40CTU

QFET FQB6N60C / FQI6N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.5A, 600V, RDS(on) = 2.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 16 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 9.3. Size:1075K  fairchild semi
 fqb6n80 fqi6n80.pdf pdf_icon

FQI6N40CTU

October 2008 QFET FQB6N80 / FQI6N80 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 5.8A, 800V, RDS(on) = 1.95 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQI5N20TU, FQI5N30TU, FQI5N40TU, FQI5N50CTU, FQI5N60CTU, FQI5N80TU, FQI5P10TU, FQI6N15TU, IRF530, FQI6N50TU, FQI6N60CTU, FQI7N10LTU, FQI7N10TU, FQI7N60TU, FQI7N80TU, FQI8N60CTU, FQI8P10TU