IRFY9130C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRFY9130C 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRFY9130C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY9130C даташит
irfy9130c.pdf
PD - 91293B IRFY9130C,IRFY9130CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9130C 0.3 -11.2A Ceramic IRFY9130CM 0.3 -11.2A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves
irfy9130cm.pdf
PD-91293C IRFY9130C, IRFY9130CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9130C 0.3 -11.2A Ceramic IRFY9130CM 0.3 -11.2A Ceramic TO-257AA HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves v
irfy9130.pdf
PD - 94195 IRFY9130,IRFY9130M POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9130 0.3 -11.2A Glass IRFY9130M 0.3 -11.2A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low
irfy9130m.pdf
IRFY9130M Dimensions in mm (inches). P-Channel MOSFET in 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) 0.8 a Hermetically sealed (0.03) TO257AB Metal Package. 3.70 Dia. Nom 1 2 3 VDSS = 100V ID = 11.2A RDS(ON) = 0.3 All Semelab hermetically sealed products can be 1.0 processed in accordance with the requirements 2.54 (0.1) (0.039) BSC 2.70 of BS, CECC and JAN, JANTX,
Другие IGBT... IRFY340C, IRFY430, IRFY430C, IRFY440, IRFY440C, IRFY9120, IRFY9120C, IRFY9130, IRF2807, IRFY9140, IRFY9140C, IRFY9240, IRFY9240C, IRFZ10, IRFZ12, IRFZ14, IRFZ14A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SST65R600S2 | NDH8504P | IXFK48N55 | IRF8714PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460




