IRF520NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF520NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRF520NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF520NPBF даташит

 ..1. Size:173K  international rectifier
 irf520npbf.pdf pdf_icon

IRF520NPBF

PD - 94818 IRF520NPbF HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G Lead-Free Description ID = 9.7A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon are

 ..2. Size:1501K  cn vbsemi
 irf520npbf.pdf pdf_icon

IRF520NPBF

IRF520NPBF www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.092 at VGS = 10 V 100 18 COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters TO-220AB D G S G D S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE M

 7.1. Size:408K  international rectifier
 irf520nlpbf.pdf pdf_icon

IRF520NPBF

PD- 95749 IRF520NSPbF IRF520NLPbF Lead-Free www.irf.com 1 8/23/04 IRF520NS/LPbF 2 www.irf.com IRF520NS/LPbF www.irf.com 3 IRF520NS/LPbF 4 www.irf.com IRF520NS/LPbF www.irf.com 5 IRF520NS/LPbF 6 www.irf.com IRF520NS/LPbF www.irf.com 7 IRF520NS/LPbF D2Pak Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D2Pak Part Marking Information T HIS IS AN IRF 53

 7.2. Size:116K  international rectifier
 irf520n.pdf pdf_icon

IRF520NPBF

PD - 91339A IRF520N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.20 Fully Avalanche Rated G Description ID = 9.7A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benef

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF4104LPBF, IRF4104PBF, IRF4104SPBF, IRF4905LPBF, IRF4905PBF, IRF4905SPBF, IRF520NL, IRF520NLPBF, IRFB3607, IRF520S, IRF520SPBF, IRF5210LPBF, IRF5210PBF, IRF5210SPBF, IRF5305LPBF, IRF5305PBF, IRF5305SPBF