Справочник MOSFET. IRF540ZSPBF

 

IRF540ZSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF540ZSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 92 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
   Время нарастания (tr): 51 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0265 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IRF540ZSPBF

 

 

IRF540ZSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  international rectifier
irf540zlpbf irf540zspbf.pdf

IRF540ZSPBF IRF540ZSPBF

PD - 95531AIRF540ZPbFIRF540ZSPbFIRF540ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 26.5mG Lead-FreeID = 36ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremel

 6.1. Size:326K  international rectifier
auirf540zstrl.pdf

IRF540ZSPBF IRF540ZSPBF

PD - 96326AUTOMOTIVE GRADEAUIRF540ZAUIRF540ZSFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS100Vl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.21ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGmax. 26.5ml Lead-Free, RoHS CompliantID 36Al Automotive Qualified *SDescriptionSpecifically designe

 6.2. Size:302K  infineon
irf540z irf540zs irf540zl.pdf

IRF540ZSPBF IRF540ZSPBF

PD - 94758IRF540ZAUTOMOTIVE MOSFETIRF540ZSIRF540ZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 26.5mGDescriptionID = 36ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOSFE

 6.3. Size:702K  infineon
auirf540z auirf540zs.pdf

IRF540ZSPBF IRF540ZSPBF

AUIRF540Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 175C Operating Temperature 21m Fast Switching max. 26.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A Automotive Qualified * Description D

 6.4. Size:258K  inchange semiconductor
irf540zs.pdf

IRF540ZSPBF IRF540ZSPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF540ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top