IRF540ZSPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF540ZSPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0265 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF540ZSPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF540ZSPBF даташит

 ..1. Size:376K  international rectifier
 irf540zlpbf irf540zspbf.pdf pdf_icon

IRF540ZSPBF

PD - 95531A IRF540ZPbF IRF540ZSPbF IRF540ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 26.5m G Lead-Free ID = 36A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremel

 6.1. Size:326K  international rectifier
 auirf540zstrl.pdf pdf_icon

IRF540ZSPBF

PD - 96326 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540Z AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance V(BR)DSS 100V l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 21m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G max. 26.5m l Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A l Automotive Qualified * S Description Specifically designe

 6.2. Size:302K  international rectifier
 irf540z irf540zs irf540zl.pdf pdf_icon

IRF540ZSPBF

PD - 94758 IRF540Z AUTOMOTIVE MOSFET IRF540ZS IRF540ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 26.5m G Description ID = 36A Specifically designed for Automotive applications, S this HEXFET Power MOSFE

 6.3. Size:702K  infineon
 auirf540z auirf540zs.pdf pdf_icon

IRF540ZSPBF

AUIRF540Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF540ZS Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 175 C Operating Temperature 21m Fast Switching max. 26.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID 36A Automotive Qualified * Description D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF530S, IRF540NLPBF, IRF540NPBF, IRF540NSPBF, IRF540S, IRF540SPBF, IRF540ZLPBF, IRF540ZPBF, AO3407, IRF5800, IRF5801PBF-1, IRF5803D2PBF, IRF5804, IRF5805PBF, IRF5806PBF, IRF5EA1310, IRF5M3205