Справочник MOSFET. IRF5N3205

 

IRF5N3205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF5N3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 170 nC

Время нарастания (tr): 300 ns

Выходная емкость (Cd): 1200 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRF5N3205

 

 

IRF5N3205 Datasheet (PDF)

1.1. irf5n3205.pdf Size:171K _international_rectifier

IRF5N3205
IRF5N3205

PD-94302B HEXFET® POWER MOSFET IRF5N3205 SURFACE MOUNT (SMD-1) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5N3205 55V 0.008Ω 55A* Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from SMD-1 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features: fast s

4.1. irf5n3710.pdf Size:114K _international_rectifier

IRF5N3205
IRF5N3205

PD - 94235A HEXFET® POWER MOSFET IRF5N3710 SURFACE MOUNT (SMD-1) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 100V 0.028Ω 45A IRF5N3710 Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from SMD-1 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features: per silicon unit area. This benefit, combined with the

4.2. irf5n3415.pdf Size:115K _international_rectifier

IRF5N3205
IRF5N3205

PD - 94267 HEXFET® POWER MOSFET IRF5N3415 SURFACE MOUNT (SMD-1) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 150V 0.042Ω 37.5A IRF5N3415 Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from SMD-1 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features: per silicon unit area. This benefit, combined with the

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top