IRF5NJZ48. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF5NJZ48
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 141 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.5
Аналог (замена) для IRF5NJZ48
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF5NJZ48 даташит
irf5njz48.pdf
PD - 94034 IRF5NJZ48 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJZ48 55V 0.016 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fa
irf5njz34.pdf
PD - 94600 IRF5NJZ34 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJZ34 55V 0.04 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fast
irf5nj3315.pdf
PD-94287B HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ3315 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ3315 150V 0.08 20A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the
irf5nj9540.pdf
PD - 94038A HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ9540 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ9540 -100V 0.117 -18A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with
Другие IGBT... IRF5N4905, IRF5N5210, IRF5NJ3315, IRF5NJ5305, IRF5NJ540, IRF5NJ6215, IRF5NJ9540, IRF5NJZ34, EMB04N03H, IRF5Y1310CM, IRF5Y31N20, IRF5Y3315CM, IRF5Y3710CM, IRF5Y5305CM, IRF5Y540CM, IRF5Y6215CM, IRF5Y9540CM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260







