Справочник MOSFET. IRF5Y3710CM

 

IRF5Y3710CM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF5Y3710CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA

 Аналог (замена) для IRF5Y3710CM

 

 

IRF5Y3710CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  international rectifier
 irf5y3710cm.pdf

IRF5Y3710CM IRF5Y3710CM

PD - 94178HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3710CMTHRU-HOLE (TO-257AA)100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3710CM 100V 0.035 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

 8.1. Size:103K  international rectifier
 irf5y3205cm.pdf

IRF5Y3710CM IRF5Y3710CM

PD - 94179AHEXFET POWER MOSFET IRF5Y3205CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 0.022 18A* IRF5Y3205CM 55VFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 8.2. Size:97K  international rectifier
 irf5y31n20.pdf

IRF5Y3710CM IRF5Y3710CM

PD - 94349AHEXFET POWER MOSFET IRF5Y31N20THRU-HOLE (TO-257AA)200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y31N20 200V 0.092 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

 8.3. Size:104K  international rectifier
 irf5y3315cm.pdf

IRF5Y3710CM IRF5Y3710CM

PD - 94268HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3315CMTHRU-HOLE (TO-257AA)150V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3315CM 150V 0.085 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top