FQPF17N08L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQPF17N08L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 290 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FQPF17N08L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQPF17N08L даташит

 ..1. Size:555K  fairchild semi
 fqpf17n08l.pdf pdf_icon

FQPF17N08L

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQPF17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11.2A, 80V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 8.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 29 pF) This advanced technology

 5.1. Size:600K  fairchild semi
 fqpf17n08.pdf pdf_icon

FQPF17N08L

January 2001 TM QFET QFET QFET QFET FQPF17N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11.2A, 80V, RDS(on) = 0.115 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 28 pF) This advanced technology has bee

 7.1. Size:723K  fairchild semi
 fqpf17n40t.pdf pdf_icon

FQPF17N08L

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 400V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has bee

 7.2. Size:728K  fairchild semi
 fqpf17n40.pdf pdf_icon

FQPF17N08L

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 400V, RDS(on) = 0.27 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has bee

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQPF13N50, FQPF13N50CSDTU, FQPF13N50CT, FQPF13N50T, FQPF14N15, FQPF14N30, FQPF16N25, FQPF17N08, BS170, FQPF17N40T, FQPF17P06, FQPF17P10, FQPF18N20V2, FQPF18N50V2, FQPF19N10L, FQPF19N20CYDTU, FQPF19N20T