FQU4N20TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU4N20TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU4N20TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU4N20TU даташит

 ..1. Size:819K  fairchild semi
 fqd4n20tf fqd4n20 fqu4n20 fqu4n20tu.pdf pdf_icon

FQU4N20TU

January 2009 QFET FQD4N20 / FQU4N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.0 pF) This advanced technology has been especial

 8.1. Size:722K  fairchild semi
 fqd4n25 fqu4n25.pdf pdf_icon

FQU4N20TU

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 8.2. Size:717K  fairchild semi
 fqd4n25tf fqd4n25tm fqu4n25tu.pdf pdf_icon

FQU4N20TU

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4N25 / FQU4N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 250V, RDS(on) = 1.75 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 4.8 pF) This advanced technology

 9.1. Size:844K  fairchild semi
 fqd4n50tf fqd4n50tm fqd4n50 fqu4n50.pdf pdf_icon

FQU4N20TU

January 2009 QFET FQD4N50 / FQU4N50 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.6A, 500V, RDS(on) = 2.7 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especiall

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQU2N90TU, FQU30N06LTU, FQU3N40TU, FQU3N60, FQU3N60CTU, FQU3N60TU, FQU3P20TU, FQU3P50TU, IRF540N, FQU4N25TU, FQU5N40TU, FQU5N50CTU, FQU5N50TU, FQU5N60CTU, FQU5P20TU, FQU6N40CTU, FQU6P25TU