IRF6217PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF6217PBF-1
Маркировка: F6217
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF6217PBF-1
IRF6217PBF-1 Datasheet (PDF)
irf6217pbf-1.pdf
IRF6217PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -150 VA1 8S DRDS(on) max 2.4 2 7S D(@V = -10V)GSQg (typical) 6 nC 3 6S DID 4 5-0.7 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environment
irf6217pbf.pdf
PD - 95252IRF6217PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Reset Switch for Active Clamp Reset-150V 2.4W@VGS =-10V -0.7ADC to DC convertersl Lead-FreeBenefitsl Low Gate to Drain Charge to Reduce A1 8S DSwitching Losses2 7S Dl Fully Characterized Capacitance Including3 6Effective COSS to Simplify Design (SeeS DApp. Note AN1001)
irf6217pbf.pdf
PD - 95252IRF6217PbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Reset Switch for Active Clamp Reset-150V 2.4W@VGS =-10V -0.7ADC to DC convertersl Lead-FreeBenefitsl Low Gate to Drain Charge to Reduce A1 8S DSwitching Losses2 7S Dl Fully Characterized Capacitance Including3 6Effective COSS to Simplify Design (SeeS DApp. Note AN1001)
irf6217.pdf
PD - 94359IRF6217SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Reset Switch for Active Clamp Reset-150V 2.4@VGS =-10V -0.7ADC to DC convertersBenefits Low Gate to Drain Charge to Reduce A1 8S DSwitching Losses2 7S D Fully Characterized Capacitance Including3 6Effective COSS to Simplify Design (SeeS DApp. Note AN100
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918