IRF7309IPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7309IPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7309IPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7309IPBF даташит
irf7309ipbf.pdf
PD - 96086 IRF7309IPbF Lead-Free Description www.irf.com 1 07/07/06 IRF7309IPbF 2 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 3 IRF7309IPbF 4 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 5 IRF7309IPbF 6 www.irf.com IRF7309IPbF www.irf.com 7 IRF7309IPbF 8 www.irf.com IRF7309IPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance
auirf7309q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A
irf7309qpbf.pdf
PD - 96135A IRF7309QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-Ch P-Ch l Dual N and P Channel MOSFET S1 D1 l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel VDSS 30V -30V 3 6 l 150 C Operating Temperature S2 D2 l Lead-Free 4 5 RDS(on) 0.050 0.10 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET Description Top View These HEXF
irf7309.pdf
PD - 9.1243B IRF7309 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET Ultra Low On-Resistance 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 Dual N and P Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 30V -30V Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 Fast Switching P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.10 Top View Description Fifth Generation HEXFET
Другие MOSFET... IRF7220PBF , IRF7233PBF , IRF7240PBF , IRF7241PBF , IRF7304PBF-1 , IRF7304QPBF , IRF7306QPBF , IRF7307QPBF , AO4468 , IRF7309PBF-1 , IRF7309QPBF , IRF730ALPBF , IRF730APBF , IRF730ASPBF , IRF730B , IRF730PBF , IRF730SPBF .
History: SWD075R06ET | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWD070R08E7T | SUD50N04-37P
History: SWD075R06ET | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWD070R08E7T | SUD50N04-37P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437








