Справочник MOSFET. IRF730B

 

IRF730B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF730B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF730B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF730B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:898K  fairchild semi
irf730b.pdfpdf_icon

IRF730B

November 2001IRF730B/IRFS730B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.5A, 400V, RDS(on) = 1.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 25 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:213K  vishay
irf730b.pdfpdf_icon

IRF730B

IRF730Bwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 450- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 1.0- Low Input Capacitance (Ciss)Qg max. (nC) 18- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 3 - High Body Diode Ruggedness- Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 4 Opt

 8.1. Size:456K  1
auirf7309q.pdfpdf_icon

IRF730B

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance 2 7VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.1045G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150C Operating Temperature Top ViewID 4.7A -3.5A

 8.2. Size:517K  1
auirf7304q.pdfpdf_icon

IRF730B

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7304Q Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS 1 8 Low On-Resistance S1 D1 -20V 2 7G1 D1 Dual P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.0903 6S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5ID G2 D2-4.3A Logic Level 150C Operating Temperature Top View Fast Switching Lead-Free, RoHS Compliant

Другие MOSFET... IRF7306QPBF , IRF7307QPBF , IRF7309IPBF , IRF7309PBF-1 , IRF7309QPBF , IRF730ALPBF , IRF730APBF , IRF730ASPBF , 20N60 , IRF730PBF , IRF730SPBF , IRF7313PBF-1 , IRF7313QPBF , IRF7316PBF-1 , IRF7316QPBF , IRF7321D2PBF , IRF7322D1PBF .

History: SI7344DP | WMN06N80M3 | KCY3310A | NCE40H25LL | VN1206N2 | IRLU9343

 

 
Back to Top

 


 
.