Справочник MOSFET. IRF7313QPBF

 

IRF7313QPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7313QPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 8.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 320 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF7313QPBF

 

 

IRF7313QPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  international rectifier
irf7313qpbf.pdf

IRF7313QPBF
IRF7313QPBF

PD - 96125AIRF7313QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual N- Channel MOSFETS1 D1VDSS = 30Vl Surface Mount2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l 150C Operating Temperaturel Lead-Free 4 5G2 D2RDS(on) = 0.029DescriptionTop ViewThese HEXFET Power MOSFET's in a DualSO-8 package utilize the lastes

 6.1. Size:298K  1
irf7313q.pdf

IRF7313QPBF
IRF7313QPBF

PD - 96125IRF7313QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technology1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1VDSS = 30Vl Dual N- Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Available in Tape & Reel4l 150C Operating Temperature 5G2 D2RDS(on) = 0.029l Automotive [Q101] Qualifiedl Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive appl

 6.2. Size:239K  international rectifier
auirf7313q.pdf

IRF7313QPBF
IRF7313QPBF

PD - 97751AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7313QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar Technologyl Dual N Channel MOSFETV(BR)DSS30V1 8S1 D1l Low On-Resistance2 7G1 D1l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ.23m3 6S2 D2l 175C Operating Temperature max. 29m4 5l Fast Switching G2 D2l Lead-Free, RoHS CompliantID6.9ATop Viewl Automotive Qualified*Des

 6.3. Size:578K  infineon
auirf7313q.pdf

IRF7313QPBF
IRF7313QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7313Q VDSS Features 30V 1 8S1 D1 Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) typ. 23m Dual N Channel MOSFET 3 6S2 D2 max. 4 Low On-Resistance 5 29mG2 D2 Logic Level Gate Drive ID 6.9A Top View Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Lead-Free, RoHS Compliant

 6.4. Size:1355K  cn vbsemi
irf7313qtr.pdf

IRF7313QPBF
IRF7313QPBF

IRF7313QTRwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top