SEFN450 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SEFN450
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm
Тип корпуса: SMD-1
Аналог (замена) для SEFN450
SEFN450 Datasheet (PDF)
sefn450.pdf
SEMITRONICS CORP. SEFN450 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplie
Другие MOSFET... SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , 20N50 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720


