Справочник MOSFET. SEFN450

 

SEFN450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SEFN450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm
   Тип корпуса: SMD-1
 

 Аналог (замена) для SEFN450

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SEFN450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  semitronics
 sefn450.pdf pdf_icon

SEFN450

SEMITRONICS CORP. SEFN450 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Surface Mount Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplie

Другие MOSFET... SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , 2N60 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 , SES760 , SES779 .

History: BL6N120-F | APM2300CA | AP6N3R8H | SL13N45F | QM3005P | IRFS440A | 2SK1089

 

 
Back to Top

 


 
.