Справочник MOSFET. SH8K25

 

SH8K25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SH8K25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для SH8K25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SH8K25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2648K  rohm
 sh8k25.pdf pdf_icon

SH8K25

SH8K25Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging specifi

 9.1. Size:141K  rohm
 sh8k22.pdf pdf_icon

SH8K25

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package TapingType C

 9.2. Size:2672K  rohm
 sh8k26.pdf pdf_icon

SH8K25

SH8K26Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

Другие MOSFET... SH8J62 , SH8J65 , SH8K11 , SH8K12 , SH8K13 , SH8K14 , SH8K15 , SH8K22 , IRF9640 , SH8K26 , SH8K32 , SH8M11 , SH8M12 , SH8M13 , SH8M14 , SH8M24 , SH8M41 .

History: NTB65N02R | SSTSD201 | SWK200R10VT | 10N60G-TF3T-T | CEP04N6 | SIHF830AL

 

 
Back to Top

 


 
.