SHD219511 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SHD219511
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: LCC-3P
SHD219511 Datasheet (PDF)
shd219511.pdf
SENSITRON SHD219511SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 608, REV -HERMETIC POWER MOSFETN-CHANNELFEATURES: 400 Volt, 0.24 Ohm, 16A MOSFET Low RDS (on)MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITSGATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20VoltsID - - 16 AmpsON-STATE DRAIN CURRENT @ TC = 25CIDM - - 64 A
shd219504.pdf
SHD219504 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 607, REV B HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES: 400 Volt, 0.3 Ohm, 9.0A MOSFET Low RDS (on) Equivalent to IRF350 Series MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ID - - 14 Amps ON-STATE DRAI
shd219503.pdf
SENSITRON SHD219503SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 896, REV -HERMETIC POWER MOSFETN-CHANNELDESCRIPTION: A 200 VOLT, .100 OHM MOSFET IN A HERMETIC CERAMIC LCC-3P PACKAGE.MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITSGATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20VoltsID - - 27.4 AmpsCONTINUOUS DRAIN CURRENT @ TC =
shd219501.pdf
SENSITRON SHD219501SEMICONDUCTORTECHNICAL DATADATA SHEET 778, REV. -HERMETIC POWER MOSFETN-CHANNELFEATURES: 60 Volt, 0.020 Ohm, 55A MOSFET Isolated Hermetic Ceramic Package Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFN054MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED.RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITSGATE TO SOURCE VOLTAGE VGS
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: ZVP2106ASTOA | GP1M004A090XX
History: ZVP2106ASTOA | GP1M004A090XX
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918