SHD219511 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SHD219511 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: LCC-3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SHD219511
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SHD219511 даташит
shd219511.pdf
SENSITRON SHD219511 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 608, REV - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 400 Volt, 0.24 Ohm, 16A MOSFET Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20 Volts ID - - 16 Amps ON-STATE DRAIN CURRENT @ TC = 25 C IDM - - 64 A
shd219504.pdf
SHD219504 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 607, REV B HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 400 Volt, 0.3 Ohm, 9.0A MOSFET Low RDS (on) Equivalent to IRF350 Series MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ID - - 14 Amps ON-STATE DRAI
shd219503.pdf
SENSITRON SHD219503 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 896, REV - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL DESCRIPTION A 200 VOLT, .100 OHM MOSFET IN A HERMETIC CERAMIC LCC-3P PACKAGE. MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20 Volts ID - - 27.4 Amps CONTINUOUS DRAIN CURRENT @ TC =
shd219501.pdf
SENSITRON SHD219501 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 778, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 60 Volt, 0.020 Ohm, 55A MOSFET Isolated Hermetic Ceramic Package Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFN054 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS
Другие IGBT... SHD219403, SHD219405, SHD219409, SHD219410, SHD219451, SHD219501, SHD219503, SHD219504, 8205A, SHD219601, SHD219603, SHD219701, SHD219720, SHD220212, SHD220213, SHD220301, SHD220455
History: SHD219603
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324




