IRL2505L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL2505L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRL2505L Datasheet (PDF)
irl2505s irl2505l.pdf

PD - 91326DIRL2505S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRL2505S) Low-profile through-hole (IRL2505L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A DescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu
irl2505spbf irl2505lpbf.pdf

PD - 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut
irl2505lpbf irl2505spbf.pdf

PD - 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut
irl2505.pdf

PD - 91325CIRL2505HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extre
Другие MOSFET... IRFZ48NS , IRL1004 , IRL1004L , IRL1004S , IRL2203N , IRL2203NL , IRL2203NS , IRL2505 , IRF3710 , IRL2505S , IRL2703 , IRL2703S , IRL2910 , IRL2910L , IRL2910S , IRL3101D1 , IRL3102 .
History: JSM7409B | SIHG47N60S | AUIRFB3607 | 9N95 | SE2304 | IXTT16N10D2 | HGI110N08AL
History: JSM7409B | SIHG47N60S | AUIRFB3607 | 9N95 | SE2304 | IXTT16N10D2 | HGI110N08AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870