IRL2703S datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRL2703S 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRL2703S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL2703S даташит
irl2703spbf.pdf
PD- 95586 IRL2703SPbF Lead-Free www.irf.com 1 07/20/04 IRL2703SPbF 2 www.irf.com IRL2703SPbF www.irf.com 3 IRL2703SPbF 4 www.irf.com IRL2703SPbF www.irf.com 5 IRL2703SPbF 6 www.irf.com IRL2703SPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance Current Transformer - +
irl2703s.pdf
PD - 9.1360 IRL2703S PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.04 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 24A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible
irl2703pbf.pdf
PD - 95368 IRL2703PbF Lead-Free www.irf.com 1 6/17/04 IRL2703PbF 2 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 3 IRL2703PbF 4 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 5 IRL2703PbF 6 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 7 IRL2703PbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) - B - 3.78 (.149) 10.29 (.405) 2.87 (.113) 4.69 (.185) 3.54 (.13
irl2703.pdf
PD - 9.1359A IRL2703 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.04 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 24A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistanc
Другие IGBT... IRL1004S, IRL2203N, IRL2203NL, IRL2203NS, IRL2505, IRL2505L, IRL2505S, IRL2703, 8205A, IRL2910, IRL2910L, IRL2910S, IRL3101D1, IRL3102, IRL3102S, IRL3103, IRL3103D1
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRFZ44NL | GWM100-0085X1-SL | IRL3714Z | IRHF57214SE | STF130N10F3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor




