Справочник MOSFET. IRL3103

 

IRL3103 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL3103
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL3103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  international rectifier
irl3103pbf.pdfpdf_icon

IRL3103

PD - 94994IRL3103PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 12ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 64Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely

 ..2. Size:214K  international rectifier
irl3103.pdfpdf_icon

IRL3103

PD - 91337IRL3103HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 12m Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 64ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
irl3103.pdfpdf_icon

IRL3103

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL3103IIRL3103FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 12mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extrem

 0.1. Size:116K  international rectifier
irl3103d2.pdfpdf_icon

IRL3103

PD 9.1660IRL3103D2PRELIMINARYFETKYTM MOSFET & SCHOTTKY RECTIFIERD Copackaged HEXFET Power MOSFETand Schottky DiodeVDSS = 30V Generation 5 Technology Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.014 Minimize Circuit InductanceG Ideal For Synchronous Regulator ApplicationID = 54ASDescriptionThe FETKY family of copackaged HEXFET powerMOSFETs and Schottky Diodes offer

Другие MOSFET... IRL2703 , IRL2703S , IRL2910 , IRL2910L , IRL2910S , IRL3101D1 , IRL3102 , IRL3102S , IRFP250N , IRL3103D1 , IRL3103D1S , IRL3103D2 , IRL3103L , IRL3103S , IRL3202 , IRL3202S , IRL3215 .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.