SIA419DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA419DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA419DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA419DJ даташит

 ..1. Size:92K  vishay
sia419dj.pdfpdf_icon

SIA419DJ

SiA419DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = - 4.5 V - 12a TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = - 2.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package - 20 0.051 at VGS = - 1.8 V - 12a 17.5 nC - Small Footprint Area

 9.1. Size:211K  vishay
sia413dj.pdfpdf_icon

SIA419DJ

SiA413DJ Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.029 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.034 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 12 23 nC 0.044 at VGS = - 1.8 V - 12a Material categorization 0.1

 9.2. Size:193K  vishay
sia418dj.pdfpdf_icon

SIA419DJ

SiA418DJ Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.018 at VGS = 10 V Material categorization 12 30 5 nC For definitions of compliance please see 0.022 at VGS = 4.5 V 12 www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK SC-70-6L-Single APPLICATIONS DC/DC

 9.3. Size:203K  vishay
sia414dj.pdfpdf_icon

SIA419DJ

SiA414DJ Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) SC-70 Package 0.011 at VGS = 4.5 V 12 - Small Footprint Area Material categorization 0.013 at VGS = 2.5 V 12 For definitions of compliance please see 0.016 at VGS = 1.8 V 8 12 19 nC

Другие IGBT... SIA411DJ, SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ, SIA416DJ, SIA417DJ, SIA418DJ, STP80NF70, SIA421DJ, SIA425EDJ, SIA426DJ, SIA427ADJ, SIA427DJ, SIA429DJT, SIA430DJ, SIA430DJT