SIA421DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA421DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA421DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA421DJ даташит

 ..1. Size:200K  vishay
 sia421dj.pdf pdf_icon

SIA421DJ

SiA421DJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.035 at VGS = - 10 V - 12a - 30 10 nC - Small Footprint Area 0.056 at VGS = - 4.5 V - 12a - Low On-Resistance Material categorization For definitions of compliance please

 9.1. Size:222K  vishay
 sia427adj.pdf pdf_icon

SIA421DJ

New Product SiA427ADJ Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance 100 % Rg Tested - 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC

 9.2. Size:200K  vishay
 sia429djt.pdf pdf_icon

SIA421DJ

New Product SiA429DJT Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.027 at VGS = - 2.5 V - 12a SC-70 Package - 20 24.5 nC 0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

 9.3. Size:109K  vishay
 sia425edj.pdf pdf_icon

SIA421DJ

SiA425EDJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.065 at VGS = - 3.6 V - 4.5a - 20 4.9 nC SC-70 Package 0.080 at VGS = - 2.5 V - 4.5a - Small Footpri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA413ADJ, SIA413DJ, SIA414DJ, SIA415DJ, SIA416DJ, SIA417DJ, SIA418DJ, SIA419DJ, IRFP450, SIA425EDJ, SIA426DJ, SIA427ADJ, SIA427DJ, SIA429DJT, SIA430DJ, SIA430DJT, SIA431DJ