SIA425EDJ - аналоги и даташиты транзистора

 

SIA425EDJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIA425EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA425EDJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA425EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  vishay
 sia425edj.pdf pdf_icon

SIA425EDJ

SiA425EDJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.5a New Thermally Enhanced PowerPAK0.065 at VGS = - 3.6 V - 4.5a- 20 4.9 nCSC-70 Package0.080 at VGS = - 2.5 V - 4.5a- Small Footpri

 9.1. Size:200K  vishay
 sia421dj.pdf pdf_icon

SIA425EDJ

SiA421DJVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAKSC-70 Package0.035 at VGS = - 10 V - 12a- 30 10 nC- Small Footprint Area0.056 at VGS = - 4.5 V - 12a- Low On-Resistance Material categorization:For definitions of compliance please

 9.2. Size:222K  vishay
 sia427adj.pdf pdf_icon

SIA425EDJ

New ProductSiA427ADJVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a- Small Footprint Area0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance 100 % Rg Tested- 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC

 9.3. Size:200K  vishay
 sia429djt.pdf pdf_icon

SIA425EDJ

New ProductSiA429DJTVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK0.027 at VGS = - 2.5 V - 12aSC-70 Package- 20 24.5 nC0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA413DJ , SIA414DJ , SIA415DJ , SIA416DJ , SIA417DJ , SIA418DJ , SIA419DJ , SIA421DJ , TK10A60D , SIA426DJ , SIA427ADJ , SIA427DJ , SIA429DJT , SIA430DJ , SIA430DJT , SIA431DJ , SIA432DJ .

History: SIA406DJ | SIHFD020 | SIA417DJ

 

 
Back to Top

 


 
.