SIA427DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA427DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA427DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA427DJ даташит

 ..1. Size:222K  vishay
 sia427dj.pdf pdf_icon

SIA427DJ

New Product SiA427DJ Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC 100 % Rg Tested Mate

 8.1. Size:222K  vishay
 sia427adj.pdf pdf_icon

SIA427DJ

New Product SiA427ADJ Vishay Siliconix P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.016 at VGS = - 4.5 V - 12a - Small Footprint Area 0.0215 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance 100 % Rg Tested - 8 0.026 at VGS = - 1.8 V - 12a 30 nC

 9.1. Size:200K  vishay
 sia421dj.pdf pdf_icon

SIA427DJ

SiA421DJ Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.035 at VGS = - 10 V - 12a - 30 10 nC - Small Footprint Area 0.056 at VGS = - 4.5 V - 12a - Low On-Resistance Material categorization For definitions of compliance please

 9.2. Size:200K  vishay
 sia429djt.pdf pdf_icon

SIA427DJ

New Product SiA429DJT Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.0205 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK 0.027 at VGS = - 2.5 V - 12a SC-70 Package - 20 24.5 nC 0.036 at VGS = - 1.8 V - 12a - S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA416DJ, SIA417DJ, SIA418DJ, SIA419DJ, SIA421DJ, SIA425EDJ, SIA426DJ, SIA427ADJ, 4N60, SIA429DJT, SIA430DJ, SIA430DJT, SIA431DJ, SIA432DJ, SIA433EDJ, SIA436DJ, SIA437DJ