Справочник MOSFET. SIA436DJ

 

SIA436DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA436DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA436DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  vishay
 sia436dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New ProductSiA436DJVishay SiliconixN-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0094 at VGS = 4.5 V 12 Thermally Enhanced PowerPAKSC-70 Package0.0105 at VGS = 2.5 V 12- Small Footprint Area0.0125 at VGS = 1.8 V 8 12 15

 9.1. Size:216K  vishay
 sia431dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0

 9.2. Size:253K  vishay
 sia437dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

SiA437DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7- Small footprint area0.0205 at VGS = -2.5 V -25-20 28 nC- Low On-Resistance0.0330 at VGS = -1.8 V -19.70.0650 at VGS = -1.5 V -4

 9.3. Size:192K  vishay
 sia438ed.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New ProductSiA438EDJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXFA36N20X3 | 12N65KL-TF1-T | NTD50N03R | SIA810DJ | 6N60KL-TM3-T | SIHFD210 | IRFP3006

 

 
Back to Top

 


 
.