SIA436DJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA436DJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA436DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA436DJ даташит

 ..1. Size:214K  vishay
 sia436dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New Product SiA436DJ Vishay Siliconix N-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0094 at VGS = 4.5 V 12 Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package 0.0105 at VGS = 2.5 V 12 - Small Footprint Area 0.0125 at VGS = 1.8 V 8 12 15

 9.1. Size:216K  vishay
 sia431dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New Product SiA431DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK 0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package - 12a - Small Footprint Area 0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a - Low On-Resistance - 20 24 nC 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested 0

 9.2. Size:253K  vishay
 sia437dj.pdf pdf_icon

SIA436DJ

SiA437DJ www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package 0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7 - Small footprint area 0.0205 at VGS = -2.5 V -25 -20 28 nC - Low On-Resistance 0.0330 at VGS = -1.8 V -19.7 0.0650 at VGS = -1.5 V -4

 9.3. Size:192K  vishay
 sia438ed.pdf pdf_icon

SIA436DJ

New Product SiA438EDJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 6 20 3.5 nC SC-70 Package 0.063 at VGS = 2.5 V 6 - Small Footprint Area - Low On-Resistance Typical ESD Pr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA427ADJ, SIA427DJ, SIA429DJT, SIA430DJ, SIA430DJT, SIA431DJ, SIA432DJ, SIA433EDJ, SI2302, SIA437DJ, SIA438EDJ, SIA439EDJ, SIA440DJ, SIA441DJ, SIA443DJ, SIA444DJT, SIA445EDJ