SIA437DJ - аналоги и даташиты транзистора

 

SIA437DJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIA437DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L
 

 Аналог (замена) для SIA437DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA437DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  vishay
 sia437dj.pdf pdf_icon

SIA437DJ

SiA437DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A) a Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0145 at VGS = -4.5 V -29.7- Small footprint area0.0205 at VGS = -2.5 V -25-20 28 nC- Low On-Resistance0.0330 at VGS = -1.8 V -19.70.0650 at VGS = -1.5 V -4

 9.1. Size:216K  vishay
 sia431dj.pdf pdf_icon

SIA437DJ

New ProductSiA431DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) New Thermally Enhanced PowerPAK0.025 at VGS = - 4.5 V SC-70 Package- 12a- Small Footprint Area0.031 at VGS = - 2.5 V - 12a- Low On-Resistance- 20 24 nC0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a 100 % Rg Tested0

 9.2. Size:192K  vishay
 sia438ed.pdf pdf_icon

SIA437DJ

New ProductSiA438EDJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK620 3.5 nCSC-70 Package0.063 at VGS = 2.5 V 6- Small Footprint Area- Low On-Resistance Typical ESD Pr

 9.3. Size:120K  vishay
 sia432dj.pdf pdf_icon

SIA437DJ

New ProductSiA432DJVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK0.020 at VGS = 10 V RoHS10.1COMPLIANT30 5.6SC-70 Package0.024 at VGS = 4.5 V 9.2- Small Footprint AreaAPPLICATIONS Load SwitchPowerPAK SC-70-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SIA427DJ , SIA429DJT , SIA430DJ , SIA430DJT , SIA431DJ , SIA432DJ , SIA433EDJ , SIA436DJ , 4N60 , SIA438EDJ , SIA439EDJ , SIA440DJ , SIA441DJ , SIA443DJ , SIA444DJT , SIA445EDJ , SIA446DJ .

History: FDD8580 | SIA447DJ | SPB80N10LG | FDD6N20TF | SQ1912EEH | SI7788DP | IPN80R600P7

 

 
Back to Top

 


 
.