SIA450DJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SIA450DJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 240 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.69 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: SC-70-6L
SIA450DJ Datasheet (PDF)
sia450dj.pdf
New ProductSiA450DJVishay SiliconixN-Channel 240-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET2.9 at VGS = 10 V 1.52 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS2.95 at VGS = 4.5 V 240 1.5 2.54 nCCOMPLIANTSC-70 Package3.5 at VGS = 2.5 V 1.44- Small Footprint Area- Low On-ResistanceAP
sia453edj.pdf
SiA453EDJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.0185 at VGS = - 10 V - 24- Small Footprint Area0.0235 at VGS = - 4.5 V - 21- Low On-Resistance- 30 21 nC0.0260 at VGS = - 3.7 V - 20 100 % Rg and UIS Tes
sia459edj.pdf
SiA459EDJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 Package0.0350 at VGS = - 4.5 V - 9- Small Footprint Area- 20 0.0395 at VGS = - 3.7 V - 9 10 nC- Low On-Resistance0.0620 at VGS = - 2.5 V - 9 100 % Rg Tested T
sia456dj.pdf
New ProductSiA456DJVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET1.38 at VGS = 4.5 V 2.6 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTSC-70 Package1.50 at VGS = 2.5 V 200 2.5 5 nC- Small Footprint Area3.50 at VGS = 1.8 V 0.5- Low On-Resistance
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD