Справочник MOSFET. SIA466EDJ

 

SIA466EDJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SIA466EDJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6L

 Аналог (замена) для SIA466EDJ

 

 

SIA466EDJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  vishay
 sia466edj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

SiA466EDJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0095 at VGS = 10 V 25- Small footprint area20 0.0111 at VGS = 6 V 25 6.3 nC- Low on-resistance0.0130 at VGS = 4.5 V 25 Typical ESD protection: 2500 V (HBM)

 9.1. Size:185K  vishay
 sia469dj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

SiA469DJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK SC-70-6L SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD 6 Thermally enhanced PowerPAK SC-70 packageS 54 100% Rg tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912S172 DAPPLICATIONS3 D S1G Load

 9.2. Size:251K  vishay
 sia465edj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

SiA465EDJwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package0.0165 at VGS = -4.5 V -12 a- Small footprint area-20 0.0185 at VGS = -3.7 V -12 a 23 nC- Low on-resistance0.0300 at VGS = -2.5 V -12 a 100 % Rg tested

 9.3. Size:198K  vishay
 sia462dj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

New Product SiA462DJVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.)ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.018 at VGS = 10 V Material categorization:12For definitions of compliance please see0.020 at VGS = 6 V 30 12 5 nCwww.vishay.com/doc?999120.022 at VGS = 4.5 V 12APPLICATIONS

 9.4. Size:225K  vishay
 sia461dj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

New ProductSiA461DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Thermally Enhanced PowerPAK SC-70 PackageID (A)a Qg (Typ.)- Small Footprint Area0.033 at VGS = - 4.5 V - 12- Low On-Resistance Material categorization: 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12 18 nC- 20For definitions of complia

 9.5. Size:963K  vishay
 sia468dj.pdf

SIA466EDJ SIA466EDJ

SiA468DJwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen IV power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (MAX.) ID (A) a Qg (TYP.) 100 % Rg tested0.0084 at VGS = 10 V 37.830 8.2 nC The highest continuous drain current capability 0.0114 at VGS = 4.5 V 32.5in its class Very low RDS-Qg FOM and Qgd elevate efficiencyPowe

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top