SIA811ADJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIA811ADJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.116 Ohm

Тип корпуса: SC-70-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIA811ADJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA811ADJ даташит

 ..1. Size:209K  vishay
 sia811adj.pdf pdf_icon

SIA811ADJ

New Product SiA811ADJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 8.1. Size:213K  vishay
 sia811dj.pdf pdf_icon

SIA811ADJ

New Product SiA811DJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5 RoHS New Thermally Enhanced PowerPAK COMPLIANT - 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 SC-70 Package 0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 8.2. Size:208K  vishay
 sia811.pdf pdf_icon

SIA811ADJ

New Product SiA811ADJ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS - 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC - 4.5 COMPLIANT SC-70 Package 0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.1. Size:213K  vishay
 sia810dj.pdf pdf_icon

SIA811ADJ

New Product SiA810DJ Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET 0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nC COMPLIANT SC-70 Package 0.077 at VGS = 1.8 V 4.5 - Sma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIA466EDJ, SIA483DJ, SIA485DJ, SIA519EDJ, SIA527DJ, SIA533EDJ, SIA537EDJ, SIA810DJ, MMIS60R580P, SIA811DJ, SIA813DJ, SIA814DJ, SIA817EDJ, SIA850DJ, SIA906EDJ, SIA907EDJT, SIA910EDJ