Справочник MOSFET. SIA811DJ

 

SIA811DJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIA811DJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: SC-70-6
 

 Аналог (замена) для SIA811DJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA811DJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  vishay
sia811dj.pdfpdf_icon

SIA811DJ

New ProductSiA811DJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.094 at VGS = - 4.5 V - 4.5RoHS New Thermally Enhanced PowerPAKCOMPLIANT- 20 0.131 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5SC-70 Package0.185 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 8.1. Size:208K  vishay
sia811.pdfpdf_icon

SIA811DJ

New ProductSiA811ADJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS- 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5COMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 8.2. Size:209K  vishay
sia811adj.pdfpdf_icon

SIA811DJ

New ProductSiA811ADJVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.116 at VGS = - 4.5 V - 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS- 20 0.155 at VGS = - 2.5 V 4.9 nC- 4.5COMPLIANTSC-70 Package0.205 at VGS = - 1.8 V - 4.5

 9.1. Size:213K  vishay
sia810dj.pdfpdf_icon

SIA811DJ

New ProductSiA810DJVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET0.053 at VGS = 4.5 V 4.5 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS20 0.063 at VGS = 2.5 V 4.5 4.1 nCCOMPLIANTSC-70 Package0.077 at VGS = 1.8 V 4.5- Sma

Другие MOSFET... SIA483DJ , SIA485DJ , SIA519EDJ , SIA527DJ , SIA533EDJ , SIA537EDJ , SIA810DJ , SIA811ADJ , HY1906P , SIA813DJ , SIA814DJ , SIA817EDJ , SIA850DJ , SIA906EDJ , SIA907EDJT , SIA910EDJ , SIA911ADJ .

History: SM3403PSQG | HAT2142H | BRCS3134ZK | DH100P30CD | 2SK3367 | AO6808 | TSP65R190S2

 

 
Back to Top

 


 
.